俄罗斯圣彼得堡的Mid-IR Diode Optopair Group 专注于中红外光电器件的研发生产，拥有美国、欧洲等多项该领域的专利技术。其技术来源于俄罗斯IOFFE物理技术研究所-纳米异质结材料中心。其主要产品:中红外发光二极管(LED)，探测器(PD)，以及中红外激光二极管。在环境气体检测、光电制导、医疗、工业分析等方面有着广泛的应用。

主要技术：
1）采用 III-V 族元素的异质结构(heterostructures)保证材料的热传导性和金属稳定性。基于In(Ga)As and InAs(Sb) 的LED可以在130-180摄氏度条件下工作几百个小时，而没有特别明显的功率衰减。

2）采用沉浸式透镜封装技术，使得光束能量更加集中，输出能量是一般封装技术的3倍，并使得LED非常容易和光纤等耦合。与具有相同结构的探测器(PD)更容易耦合，组成探测系统。

主要特点：

• 窄带光源，无需加装滤光片
• 可室温操作
• 响应速度快，可快速调制，提高信噪比
• 体积小，适合便携式仪器
• 能耗低
• 仪器整体成本低

主要产品：

型号	中心波长	FWHM(μm)	Pulsed power  at I=1 A	CW power  with heatsink	Angle of view FWHM
LED19Sc	1.95±0.05	0.17±0.05	4÷7mW	0.7÷1.2mW	≤20
LED21Sc	2.15±0.05	0.32±0.025	6÷9mW	1.2÷1.7mW	≤20
LED30Sc	2.9÷3.0	0.5÷0.6	160÷300μW	40÷60μW	≤20
LED34Sc	3.4±0.05	0.4±0.05	400÷450μW	125÷140μW	≤20
LED36Sc	3.65±0.05	0.5÷0.6	160÷290μW	40÷75μW	≤20
LED38Sc	3.8÷3.9	0.5÷0.6	150÷200μW	45÷70μW	≤20
LED42Sc	4.1±0.05	0.53±0.03	55÷85μW	18÷27μW	≤20
LED47Sc	4.7±0.05	0.55±0.05	20÷28μW	4.0÷5.5μW	≤20
LED55Sc	5.4÷5.6	∼1.0	9÷11μW	1.5÷1.9μW	≤20
OPLED70IL	6.5÷7.0	1.5÷2.0	≥20		≤40

因为产品不断改进，技术参数请以下载版本为准 

中红外LED性能参数.pdf